전력 설계

전력 설계·전력전자 개발을 위한 고정밀 계측 솔루션

고전력·고효율 시스템 설계에서는 SiC·GaN 기반 스위칭 특성 분석, 컨버터 효율 평가, 전력 품질 및 제어 루프 안정성 검증 등 정확한 전력계측이 필수적입니다.
웨이브인센스는 고속 스위칭 파형 측정부터 동적 특성 분석까지 전력전자 개발 과정 전반을 지원하는 안정적이고 신뢰성 높은 테스트 환경을 제공합니다.

고속 스위칭 및 전력 품질 분석

SiC/GaN 기반 전력 변환 회로는 고속 스위칭 특성 분석이 중요합니다.
스위칭 손실, 효율, EMI 문제는 전력 시스템의 안정성과 직결됩니다.
정밀 계측을 통해 제어 루프 안정성(Bode Plot)과 파워 품질을 평가하면 고효율 설계가 가능합니다.
전력 설계는 에너지 효율과 안정성을 동시에 요구하며, 이는 고속 측정과 정확한 분석으로 달성됩니다.
파형 분석, 전류·전압 측정, 하모닉 분석을 통해 시스템 성능을 최적화합니다.

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SiC MOSFET, IGBT, 더블 펄스 테스트(DPT), 스위칭 손실, 역회복 특성, 광 절연 프로브, RIGOL MHO5000, 180dB CMRR

전력 반도체 소자(SiC,IGBT)의 동적 성능 분석 및 테스트 가이드

SiC 및 IGBT 소자의 스위칭 효율을 극대화하는 더블 펄스 테스트(DPT) 구성과 정밀 분석 노하우를 담았습니다. 고전압 환경에서도 노이즈 없는 동적 특성 평가를 실현하는 웨이브인센스의 솔루션을 확인하세요.

RIGOL OSC
DHO5000 시리즈
MHO5000 시리즈

RIGOL 파형발생기
DG5000Pro

프로브: PIA1000

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RIGOL OSC
- MHO2000 시리즈
- MSO5000/8000 시리즈
- DHO/MHO5000 시리즈

RIGOL DC 로드
- DL3000 시리즈

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RIGOL OSC
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